各二级单位，机关及直属各部门：
上海市科委发布《2025年度基础研究计划“集成电路”（第二批）项目申报的通知》，具体内容通知如下：
一、征集范围
专题一、硅基光电子
方向1：全硅集成光I/O研究
研究内容：研究硅中缺陷态吸收、光子辅助隧穿效应等机制，提高全硅探测器的光电转换效率与响应速度；探索微环谐振腔中的双光子效应，建立多物理场下微环调制器的响应模型；实现收发一体集成芯片，并进行高速数据传输验证。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向2：可见-通信光互连研究
研究内容：探索跨波段量子信息传输中的多非线性协同效应，优化单光子非线性耦合强度，调控不同波段间的光子转换效率；优化光子芯片设计方法，实现跨波段的低损耗光波导；设计并制备低噪声、高效率的频率转换芯片，探索应用路径。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向3：片上多维复用光子信号处理研究
研究内容：发展光子多维信号互作用理论，研究多维复用的时间序列信号重构方法，完成高速信号接收与处理架构设计；研究光学采样保持、多功能阵列化重构、宽带阵列均衡校准等内容；实现光子多维复用的高速信号接收与处理系统。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向4：高性能片上光放大机制研究
研究内容：构建多因素耦合影响的光波导放大理论模型，探索高浓度共掺和长发光寿命的实现方法，阐明上转换发光的抑制机制；研究波导截面折射率工程，建立光场分布与增益效率的调控模型；优化光波导放大器制备方法，实现高功率、大带宽的片上放大输出。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向5：高维多通道光子伊辛加速研究
研究内容：探索伊辛自旋规模拓展机制，研究哈密顿量计算精度提升方法；探索光子伊辛体系高维复用方法，研究多通道、高动态范围哈密顿量的光电探测；结合高速电子控制反馈，完成典型NP问题映射伊辛模型的快速求解。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向6：面向大规模生成智能的全光智能处理研究
研究内容：研究生成式任务的本征特征，揭示生成式智能任务的光场特性，构建特征映射的物理模型和训练算法；建立异质异构集成的光场通路模型，实现百万量级光学神经元的片上集成封装；实现面向大规模生成式任务的光计算芯片构建、流片和实验验证。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向7：几何相位硅光集成方法研究
研究内容：研究硅光集成非阿贝尔几何相位操控，建立几何相位的解析模型，阐明几何相位硅光集成器件的高宽带性和高鲁棒性机理；研究与硅光后道工艺兼容的硅光-相变材料集成方法，开展几何相位非易失动态可调控的功能验证。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向8：超低光子功耗硅基光神经网络计算研究
研究内容：探索可重构光网络中光子数态的关联演化规律，开发融合时序光子统计测量与数字反馈的原位训练机制，构建多光子关联特性与神经网络特征空间的非线性映射模型。集成高纯度片上光子源阵列与可编程多模干涉结构，实现具备亚光子级功耗和非线性处理能力的光神经网络芯片，验证面向边缘智能场景的超低功耗光计算能力。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向9：基于硅光工艺的大规模光量子纠缠研究
研究内容：开展基于集成光量子平台的大规模连续变量簇态纠缠机理研究，研究纠缠态测量效率的影响因素，探索高鲁棒性重构的新原理与新方法；研制高非线性、低损耗的量子压缩光源和可编程线性光学网络，探索其在量子计算、量子隐形传态等领域的可扩展方案。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向10：片上超连续谱光源及其精准调控研究
研究内容：探索高维波导结构中的色散调控方法，研究波导整体与局部色散对超连续谱产生的调控机理；完成超连续谱光源芯片的设计和制备，实现超宽光谱覆盖，并在原子吸收波长及中红外波长处实现光谱局部增强；基于片上超连续谱光源，开展光谱学、光学计量等领域的应用演示。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向11：硅基垂直集成光子调控研究
研究内容：探索硅基垂直集成光子器件的光调制与耦合理论，开发数值计算方法研究卷曲纳米薄膜光子器件中的光子调控；优化器件制备工艺，实现晶圆级高良率垂直集成光子器件的设计制备；研究基于垂直集成光子器件的多维光信息探测及调制方法，实现广角和高偏振分辨的硅基垂直集成光探测器。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
专题二、宽禁带与超宽禁带半导体
方向1：氮化镓单晶高温高压生长过程与反应釜损伤监测研究
研究内容：建立氮化镓单晶氨热生长过程及反应釜的多源感知方法与系统；研究釜内温-压-介质联动与耦合机制，探明极端工况对釜体损伤的量化影响；建立高品质单晶生长过程平衡失稳预警模型。
经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度不超过300万元。
方向2：碳化硅界面能带调控与双能级缺陷共轭抑制研究
研究内容：研究原位等离子体与高k介质协同调控碳化硅能带偏移机制，探索能带调控驱动的碳化硅界面缺陷抑制方法，揭示能带偏移与氧空位结合能位移的定量关联关系，阐明碳化硅界面缺陷和近界面氧化层缺陷共轭抑制机理。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向3：氧化镓同质p-n结材料准粒子特性研究
研究内容：制备氧化镓同质p-n结，研究激子与空穴极化子特性及双极输运机制；研究结电容耗尽与扩散、耐压、反向击穿等特性；研究氧化镓同质p-n结自供电深紫外光电探测。
经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度不超过300万元。
方向4：金刚石表面钝化与欧姆接触研究
研究内容：揭示金刚石器件界面物性调控机制，探究界面碳簇陷阱与高化学惰性的协同影响；发展纳米级高k氮化物栅介质沉积方法；发展轻掺杂金刚石表面的低阻欧姆接触方法，并通过原型器件验证。
经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度不超过300万元。
方向5：多维一体金刚石材料合成与加工方法研究
研究内容：阐明合成及关键加工工艺中金刚石形状及性能的产生或演变机制，发展多维一体金刚石材料形性协同合成及加工方法，研究合成及关键加工装备正向设计方法，优化金刚石材料合成及加工一体化方法。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
专题三、集成电路材料
方向1：基于交替共聚物的先进工艺图形材料研究
研究内容：研究交替共聚物在不同环境条件下的图形结构构建与相行为调控，研究交替共聚物在溶液、界面及固态加工过程中的自组装行为，阐明不同链段比例、分子量及热/溶剂处理等对亚5nm尺度有序结构演化的影响机制。探索交替共聚物的可控相分离规律，揭示材料的结构演化路径。
经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度不超过300万元。
方向2：基于弱相互作用机制的深度纯化机理研究
研究内容：探索通用型深度纯化介质制备方法，研究介质与流体状态下复杂组分的弱相互作用机制及溶出组分的迁移路径；研制电子专用试剂通用型深度纯化元件，探究基于多组分流体间弱相互作用机制对深度纯化行为的多尺度协同调控机制。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向3：集成电路高介电常数前驱体材料研究
研究内容：基于配位化学与反应动力学模型，实现铌前驱体合成分子结构的精准调控。开发特定纯化路线，研究痕量杂质深度去除方法。基于原子层沉积方式，构建成膜动力学模型，系统研究原子层沉积工艺参数对铌基高介电常数薄膜生长速度、微观结构及关键性能的影响规律与调控机制。
经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度不超过300万元。
方向4：高密度玻璃基深沟槽电容实现机制研究
研究内容：研究与玻璃通孔兼容的高k介质与金属材料的原子层沉积方法，解决膜层覆盖率和界面附着力的问题，探索电容密度的提升机制，实现高密度金属-介质-金属玻璃基深沟槽电容。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
方向5：阈值转变开关与存储材料研究
研究内容：研究硫系阈值转变开关与存储材料的阈值电压极性效应机理，揭示不同极性电场作用下材料微结构动态演化规律。阐明硫系阈值转变开关与存储材料的阈值电压漂移机理，开展硫系阈值转变开关与存储材料的纳米尺寸微缩效应研究，探索基于硫系阈值转变开关与存储材料的原型器件制备方案。
经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。
二、申报方式
项目申报采用网上申报方式，无需送交纸质材料。请申请人通过“上海市科技管理信息系统”（svc.stcsm.sh.gov.cn）进入“项目申报”，进行网上填报，由申报单位对填报内容进行网上审核后提交。【初次填写】使用“一网通办”登录（如尚未注册账号，请先转入“一网通办”注册账号页面完成注册），进入申报指南页面，点击相应的指南专题，进行项目申报；【继续填写】使用“一网通办”登录后，继续该项目的填报。有关操作可参阅在线帮助。
项目网上填报起始时间为2025年8月13日9:00，截止时间（含申报单位网上审核提交）为2025年9月1日16:30。
由于各研究方向限额1项，请各二级单位于8月21日11点前提交本部门申报清单，学校将根据申报情况遴选上报。
科研处
2025.8.6
