2026中国半导体检测与失效分析研讨会在我校举行

发布时间:2026-03-30 供稿:能源与材料学院、集成电路学院 分享至:

3月27日至28日,2026中国半导体检测与失效分析研讨会在我校学术交流中心举行。本次会议由上海产学合作教育协会集成电路专业委员会主办,上海第二工业大学、上海复创芯半导体科技有限公司联合承办,复旦大学校友总会集成电路行业分会、上海市计量测试技术研究院有限公司协办。研讨会由我校能源与材料学院于伟教授主持。

      副校长丁彬代表学校致辞。他首先对专家学者及企业代表的到来表示热烈欢迎和诚挚感谢。他指出,半导体产业是信息技术发展的根基,更是筑牢国家信息安全屏障的重要支撑。当前,芯片集成度不断提升,器件结构日趋复杂,新材料、新工艺迭代加速,检测与失效分析作为保障芯片品质稳定、运行可靠的关键技术,其重要性日益凸显。本次研讨会旨在汇聚智慧、凝聚共识,为推动行业关键难题的解决提供新思路,进一步促进产学研用协同创新。

大会汇聚了国内外半导体检测与失效分析领域的顶尖专家、高校学者及龙头企业技术骨干。在为期两天的议程中,大会报告与专题分享聚焦行业技术前沿,直击产业发展痛点,搭建起高水平、专业化的产学研用交流合作平台,为我国半导体产业的高质量发展注入了精准检测与深度分析的全新动力。

      复旦大学二级教授、中国机械工程学会失效分析分会副主任委员杨振国教授作了题为《失效分析学科:发展历程、技术内涵与前沿展望》的报告,系统阐述了该学科的发展脉络与核心内涵。他指出,失效分析不仅用于查明事故原因,更能在新材料研发、工艺改进与可靠性提升等方面赋能新质生产力,并呼吁加快我国失效分析学科体系建设,以支撑半导体等高端制造业的自主可控与高质量发展。

      日本工程院院士、中国电子工程设计院股份有限公司首席科学家冯德民院士带来了题为《半导体设备振动台试验技术研究》的报告,介绍了其团队在雄安新区建成并投用的世界最大微振动模拟振动台及相关研究成果。

随后,会议围绕半导体检测与失效分析的前沿议题展开进一步交流。专题报告内容涵盖集成电路材料检测、先进封装EDA、光发射谱原位监测、亚微米光热红外分析、表面电磁场测量、AI晶圆量检、X射线衍射与吸收技术、车规级芯片可靠性筛选、第三代半导体器件工艺检测及功率器件多物理场原位检测等多个方向,体现了该领域技术发展的广度与深度。

      我校能源与材料学院、集成电路学院师生积极参会,深入开展学术交流。会上,李凤仪副教授以《功率器件多物理场的原位高时空分辨率检测方法》为题作学术报告。报告聚焦氮化镓高电子迁移率晶体管内部多物理场难以解耦与原位表征的技术难题,介绍了我校与清华大学合作研发的光电联合拉曼光谱一体化检测平台。该平台可实现GaN基HEMT器件内部温度、应力、电场及陷阱态的高精度检测,空间分辨率达50nm,时间分辨率达100 ps,为功率器件的失效分析与可靠性评估提供了有效检测手段。

      本次研讨会得到中国机械工程学会失效分析分会、上海市计量测试技术研究院有限公司等单位的专业指导与大力支持,吸引了中芯国际、华为技术、比亚迪半导体、江苏长电科技等产业链上下游重点企业,以及北京大学、复旦大学、上海交通大学、浙江大学等数十所知名高校及科研院所的踊跃参与。

大会集中展现了我国在半导体检测与失效分析领域的最新技术成果与蓬勃创新态势,在交流前沿方案、凝聚行业共识的同时,为攻克共性技术瓶颈、深化产学研用协同创新提供了重要方向与实践路径。面向先进制程迭代与先进封装升级的产业趋势,检测与失效分析将持续发挥关键支撑作用,为我国半导体产业自主创新与高质量发展提供坚实可靠的技术保障。

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